原标题：【推仔说新闻】合肥长鑫已将内存工艺提升至10nm级别 并宣称即将量产

　　在日前开幕的中国闪存技术峰会上面，合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士发表了名为《DRAM技术趋势与行业应用》的主题演讲。

　　在这个演讲中不仅提及了有关于内存技术的应用发展等问题，同时也说明了长鑫自己内存技术的来源和改进，指出了合肥长鑫已将奇梦达的46nm内存工艺提升到了10nm级别。

　　其实在之前的GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明就发表过演讲，演讲中提到了长鑫的DRAM内存的技术来源，主要就是已破产的奇梦达公司。

　　目前的长鑫获得了获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据，并在这些技术和数据的技术上进行改进研发。

　　并且合肥长鑫宣布，投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产，该项目将生产国产*一代10nm级8Gb DDR4内存。

　　董事长朱一明表示，“投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。”

　　至于良品率和产能等问题，合肥长鑫并没有公布具体的数据，但是宣称其10nm级内存已经获得工信部旗下检测机构，中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

　　在推仔看来，虽然我们不得不说我们距离世界一线的DRAM颗粒制造还是有不小的距离，但是我们凭借着奇梦达公司已经成功的实现的追赶，毕竟现在大家都是非常理性的，从国产的NAND颗粒就可见一斑，大家对于我们真正意义上的国产还是能够包容的。

　　此外要跟大家说明的一点便是，为什么说10nm级就已经实现了追赶，原因还是在于隔壁的PPT大厂三星，其命名的1Xnm、1Ynm、1Znm都是10nm级别的工艺。

　　此外有一个事情让我沉思，在*近的内存和闪存市场上面，其实都有过可以抬价的窗口期，但是整个市场行情却没有起来，这会不会是与我们成功国产化了DRAM和NAND颗粒有关呢？返回搜狐，查看更多

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