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　　国内首家DRAM供应商诞生：10nm级工艺 月产能将占全球3%

　　近日，据外媒报道，长鑫存储正式宣布其成为了国内头部家也是唯一一家DRAM供应商。长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成头部座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元，将生产国产头部代10nm工艺级8Gb DDR4内存芯片，并获得了工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。该晶圆厂每月产量为20000晶圆，到2020年第二季度这一速

　　长鑫存储公布新路线nm计算机存储器

　　长鑫存储技术有限公司（CXMT）已经开始生产基于 19nm 工艺的计算机存储器，且该公司至少制定了两条以上的 10nm 级制程的路线图，计划在未来生产各种类型的动态随机存储器（DRAM）。为了提升产量，长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂。作为中国制造 2025 项目的一部分，其有望支撑全球一半左右的 DRAM 需求。

　　国产雄起！合肥长鑫19nm DRAM内存芯片产能增加

　　存储器产品占到了我国每年进口半导体芯片中的大头，其中DRAM内存芯片占比蕞高，有20%以上。蕞新报道称，合肥长鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的产能，目标是月产4万片晶圆。在9月份开幕的201 9世界制造业大会上，合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产，将生产国产头部代10nm级8Gb DDR4内存。长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍，投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。据悉，长鑫的DRAM技术

　　长鑫存储宣布其设计产能12万片生产线投产

　　新华社消息，在合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级头部代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。该项目2016年5月由合肥市政府旗下合肥产投与兆易创新共同出资组建。目前，项目已获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍，长鑫存储投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投

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