因为我国芯片产业起步较晚，在源头基础上创新不足，国产芯片一直高度依赖进口。

　　虽然在华为事件发生后，中国半导体产业各端都加大了力度研发，相关企业也取得了不错的成绩，但在存储芯片这一细分领域仍然被海外企业所垄断。

　　据了解，存储芯片是集成电路市场中占比*大，且应用*广泛的品类，行业规模巨大，且在逐渐增长中。

　　TechWeb曾报道，有研究机构数据显示，到2023年全球存储芯片市场规模，预计会达到1804亿美元，约合人民币1.149万亿元。

　　但遗憾的是，全球存储芯片行业的垄断程度非常高，来自日本、韩国、美国的企业拿走了大部分市场份额，尤其是在内存DRAM和闪存NAND FLASH市场。

　　据了解，在众多存储芯片中，内存DRAM和闪存NAND FLASH的应用*为广泛，但在这两大市场，垄断态势也*为严峻。

　　12月26日IT之家消息，市场调查机构Omdia数据显示，目前DRAM市场基本被三星电子、SK海力士、美光三家企业瓜分。

　　具体来看，三星在DRAM市场的占比达到43.9%，SK海力士紧随其后，占比27.6%，而美光以22.7%的市场份额排名第三，这三家企业所占份额总计94.2%。

　　但要知道，中国是全球存储芯片重要需求市场，世界半导体贸易统计协会统计数据显示，中国存储芯片市场在2023年的市场规模有望达到6492亿元人民币。

　　而DRAM又是存储器分支中市场规模*大的产品，中国在这一细分领域受制于人，必然会影响相关产业链的发展，一旦外企因为某些原因断供中国企业，那么中国整个电子产业都将陷入困境。

　　因此，近些年国内各方势力一直在努力研发、创新，试图在整个存储芯片领域获得更多的话语权。

　　庆幸的是，在政府、政策的推动下，国内不少存储芯片领域的企业都取得了长足进步，例如紫光南京、福建晋华、合肥长鑫等，已经成长为国内DRAM存储领域的巨头。

　　其中，合肥长鑫被业内外视作我国短期内完成DRAM国产替代*大的希望。公开资料介绍，合肥长鑫主要生产移动DRAM，目前已经具备量产能力，而且是中国大陆*一一家能够自主生产DRAM的厂商。

　　从技术方面来看，合肥长鑫DRAM正处于17nm研发阶段，计划在今年完成17nm的工艺研发，并开展DDR5 DRAM产品研发。虽然技术较三星、SK海力士和美光落后了4年，但能取得这一成绩已是十分不易。

　　众所周知，存储芯片属于技术密集型产业，因为技术门槛颇高，而中国在这一领域的产业基础又较为薄弱，想要在美韩企业的垄断下有所突破并不容易。

　　不仅如此，在存储芯片突围的过程中，还需要大量的资金投入，这相关企业来说也是一个不小的压力。因此，合肥长鑫能在美韩巨头的包围下取得如今的成绩，这非常值得我们骄傲。

　　另外，合肥长鑫还在加速扩充产能，于今年6月份举行了第二期12寸厂房的奠基仪式。预计在三期目标完成并满产后，合肥长鑫的产能有望达到36万片/月。

　　不过，我们也该清楚的认识到，合肥长鑫虽然在夹缝中实现突围，但在中国乃至全球DRAM市场上的话语权仍然非常低。中国企业想要在存储芯片领域摆脱海外企业的垄断，还有很长的一段路要走。

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