目前国产芯片领域又一重大突破，合肥长鑫存储公司自研并开始量产了纯国产的DDR4内存条！

　　*近，合肥长鑫储存科技公司官网信息显示：该公司的使用自主19nm制造工艺生产的DDR4内存芯片已经开始批量出货，进入销售阶段。从产品信息来看，长鑫公司国产的DDR4存储芯片单片容量8Gb，速率为2666Mbps，参数属于主流水平。

　　按照规划，长鑫存储公司还将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线和LPDDR5内存。在工艺方面，长鑫公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，并计划在未来生产所有类型的DRAM，并计划再建两个晶圆厂来提高产量。（合肥长鑫是设计制造一体型公司，有自己的工厂）

　　合肥长鑫公司是由国家半导体大基金扶持的一家国家储存领域科技公司，是国家储存领域重大科技布局的关键一部分。可以说，合肥长鑫公司是国家在储存芯片领域想要实现突破的决心而成立的。

　　说起内存*对会让众网友心痛，中国一年进口芯片金额达到2000多亿美元，折合成人民币就是上万亿，其中内存芯片占了约三分之一，是880多亿美元，其中一半来自于韩国。

　　韩国的三星、海力士和美国的镁光，三家是全球内存市场的*对霸主，时不时工厂、工厂停电、产能不足等大家心知肚明的借口来操纵内存涨价，去年内存价格涨幅超过50%，一度成为*佳理财产品。

　　由于储存芯片技术被国外完全垄断，使得国家不得不研究发展自主设计开发储存芯片。

　　做内存芯片市场九死一生，需要举国家之力，不是一家企业可以抗衡的。因此，2016年我国政府半导体大基金扶持了本土内存生产商，合肥长鑫、武汉长江存储、福建晋华三家公司应运而生。

　　（1）晋华集成电路与台湾联华电子开展技术合作，专注于随机存取存储器（DRAM）领域。

　　（2）合肥长鑫主要研发19纳米制程的12英寸晶圆DRAM，填补国产DRAM存储器在本国市场的空白。

　　武汉长江储存成功研制出64层3D NAND Flash储存芯片，采用长江存储自主研制的Xtacking架构。按照规划，长江存储计划在2020年跳过96层3D NAND，直接进入128层堆叠。

　　合肥长鑫使用自主19nm制造工艺生产的DDR4内存芯片已经开始批量出货，进入销售阶段。其DDR4存储芯片单片容量8Gb，速率为2666Mbps，参数属于主流水平。

　　福建晋华目前被美国“制裁”，仍然在专注于研究随机存取存储器（DRAM）领域。暂未出产品。

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