长江存储、晋江联电、合肥长鑫三大势力明年或全面对决
集微网消息,据台湾媒体报道,近期大陆三股势力正如火如荼点燃DRAM主导权大战,长江存储传已评估到南京设立12吋厂,联电大陆DRAM厂福建晋华计划2018年量产,并在南科厂同步研发25、30纳米制程,至于合肥市与北京兆易创新(GigaDevice)合作的合肥长鑫,由前中芯国际执行长王宁国操刀,大陆这三股DRAM势力将决战2018年,抢当大陆DRAM产业龙头。
尽管大陆布局自制3D NAND Flash雏形渐现,长江存储将与已购并飞索(Spansion)的赛普拉斯(Cypress)合作,切入32层和64层3D NAND技术,由于门槛较高,长江存储仍有机会急起直追国际存储器大厂,然值得注意的是,全球存储器产业将率先上演大陆力争DRAM主导权戏码。
目前大陆DRAM势力处于战国时代,至少有三股DRAM势力全面竞逐版图,除了长江存储之外,还有联电旗下福建晋华,其主要操盘手为前瑞晶总经理、现任联电资深副总陈正坤,第三股DRAM势力则是合肥市政府结合GigaDevice及王宁国人马成立的合肥长芯。
长江存储与旗下武汉新芯原本是扮演大陆存储器中心角色,将统筹3D NAND和DRAM两大存储器技术发展,然大陆政府传出针对长江存储DRAM布局进行规范,若是自行研发DRAM技术必须先量产3D NAND,但若对外购买技术则无此限制,使得长江存储积极与国际大厂合作,以加速DRAM量产,并获得专利保护伞。
长江存储除了积极与美光洽谈DRAM技术专利授权,业界亦传出正着手评估自建或购并现有晶圆厂的可能性,甚至有意跟随台积电脚步评估在南京设立12吋晶圆厂,长江存储执行长杨士宁则表示,将以购并现有晶圆厂为*一考量。
近期武汉新芯12吋新厂已经动起来,单月产能规划30万片,涵盖NAND Flash和DRAM芯片,然业界预期长江存储两大产品线的生产基地,*终仍会分开进行。至于大陆另外两个DRAM阵营亦加快脚步展开研发自制,希望抢在长江存储之前先量产DRAM技术,以争取大陆DRAM产业宝座。
联电与福建晋江地方政府合作成立的福建晋华新厂已经动工,预计2018年进入量产,业界传出大陆注资近新台币100亿元,让联电在南科厂同时进行25、30纳米技术研发,预计2017年底完成技术开发,福建晋华则配合在2018年下半装机,届时联电南科厂DRAM技术将快速转到福建晋华量产。
尽管福建晋华至少要投入25纳米以下制程技术,才有机会获得大陆官方青睐,但联电采取较谨慎作法,避免一下子投入25纳米技术开发面临失败风险,遂同时研发30纳米作为备案。
大陆第三股DRAM势力系由王宁国操刀的合肥长鑫,原本合肥市政府和GigaDevice投资的厂房,传出主要投入DRAM相关存储器IC设计,然近期业界传出该阵营将豪掷逾新台币1,000亿元,同时进行DRAM研发和制造。
目前大陆这三股DRAM势力持续进行招兵买马,并双头并进朝向技术专利授权及自主技术研发模式发展,希望趁着大陆DRAM主导权还未底定之前先卡好位,预期2018年这三大DRAM阵营将力拚量产并陷入激战。
发布PCle4.0固态硬盘致态TiPro7000 顺序读取速度740MB/s
2021年12月29日,长江存储重磅发布全新消费级旗舰固态硬盘产品致态TiPro7000。该产品采用基于Xtacking®(晶栈) 2.0架构的长江存储第三代三维闪存芯片,支持PCle Gen4x4接口、NVMe 1.4协议,顺序读取速度高达7400MB/s。该产品为电竞、高端游戏量身定制,同时满足多种设计应用需求,为消费者带来全新的高速存储体验。长江存储自2020年9月以来,相继推出SC001 Active、PC005 Active以及木星10三款产品。该系列产品一经推出就以高性能、高可靠性备受市场推崇。凭借着这三款产品,长江存储与广大消费者建立了紧密的联结,直接聆听消费者的反馈和建议。经过一年多的打磨,全新旗舰产品TiPro70
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Xperi公司日前宣布,该公司已与长江存储签署了一项许可协议,该协议包括获得与Xperi的DBI混合键合技术相关的半导体知识产权的基础组合。Xperi全资子公司Invensas总裁Craig Mitchell表示:“Xperi 的 DBI 混合键合是当前和未来几代高性能、大容量3D NAND闪存的关键使能技术,我们自豪地向长江存储提供我们的基础知识产权组合,并期待进一步扩大我们的合作关系。”据了解,混合键合3D集成技术正越来越多地应用于各种半导体器件,如传感器、存储器和逻辑器件,以便在降低尺寸和成本的同时增强性能和功能。在3D NAND应用中,DBI 混合键合技术能够分解存储器阵列和逻辑电路,从而为每个应用提供*佳的晶圆工艺节点。公
国内内存模块供应商“嘉合劲威”公众号发布消息称,旗下高端品牌阿斯加特将发布新品AN4 PCle4.0 SSD,闪存颗粒采用长江存储128层3D TLC NAND,这也意味着长江存储128层3D NAND闪存产品成功量产。2018年底,长江存储宣布将跳过64层和96层,于2020年底开始量产128层3D NAND闪存。韩媒BusinessKorea援引业内人士表示,长江存储去年4月即开发了128层3D NAND闪存技术,但由于疫情和母公司紫光集团的影响,量产计划被推迟。2018年长江存储的技术水平是32层,而三星电子从2014年开始生产32层。随着长江存储在2021年成功量产128层(三星电子和SK海力士分别在2019年8月和去年第二
2021年7月13日,长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)发现多家网络媒体转发长江存储和美国贸易限制清单相关的新闻和消息。对此,长江存储郑重声明如下:1. 长江存储自成立至今,始终秉承守法合规的经营理念。在国内外各项业务中,长江存储严格遵守所在地法律法规;2. 长江存储所提供的产品与服务均为面向商用及民用市场;3. 长江存储遵守WTO公平贸易原则,专注于技术自主研发并充分尊重第三方的知识产权;4. 目前长江存储生产经营各项业务均在上述原则基础上正常开展。长江存储科技有限责任公司2021年7月16日
回应实体清单传言:国内外各项业务均守法 /
7月13日上午,据外媒报道称,美国国会部分议员已于当地时间12日致信美国商务部部长雷蒙多(Raimondo),要求其考虑将中国存储芯片制造企业长江存储列入“实体清单”。美国议员要求将长江存储列入“实体清单”报道称,该信函指出,长江存储是由政府控制并与军方关联的企业,其制造的存储芯片可广泛应用于国防、人工智能和航天领域。同时,该信函还称,长江存储的管理人员之前在中芯国际和中国军方有关的工业和信息化部工作过。除此之外,该信函还表示,长江存储通过其母公司清华控股的巨大的分公司网络和附属公司向中国军方供货的。基于以上这些所谓的“证据”,相关美国国会议员认为,长江存储与中国军方有关系,要求美国商务部“在这件紧急事务上发挥领导作用”,把长江存储
近日,华特气体在接受机构调研时表示,Q2业绩增长主要还是半导体厂的放量,以长存、中芯等半导体企业为主,增速明显。其他原因,主要是去年新认证了半导体客户通过认证的有慢慢的产生订单,另外就在原有半导体客户导入了品类,也有部分通过了并产生了订单。在客户认证方面,华特气体称,今年认证通过的有高纯氨通过积塔8寸线认证,IGBT第三代功率半导体的碳化硅厂-泰科天润认证通过,一季度产生订单;锗烷也通过了德国*大半导体厂英菲林的认证;公司的光刻气 Ar/Ne/Xe 也获得全球第二大光刻机生产厂商日本GIGAPHOTON的认证通过;海思去年认证的几个产品,有陆续通过认证,今年也有部分供货;还有苏州的英诺赛科去年也认证了几个产品,今年也有部分陆续的产生
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